30 окт. 2009 г.

Intel и Numonyx заявили о прорыве в области фазо-изменяемой памяти


Компании Intel и Numonyx на днях анонсировали прорыв в области фазо-изменяемой энергонезависимой памяти PCM (или PCRAM и PCMS). В частности компании разработали способ размещения множества слоев этой памяти друг над другом, в результате чего на единице площади чипа можно получить большую плотность записи.

Разработка компаний прокладывает путь к энергонезависимым чипам памяти с большими емкостями, случайным доступом и сниженным энергопотреблением. Разработчики впервые продемонстрировали тестовый однослойный чип этой памяти на 64Mb, позволяющий использовать множество слоев. В то же время многослойный чип все еще в разработке.

Напомню, что в основе PCM-памяти лежат фазовые изменения свойств халькогенида – специального компаунда, изменяющего при нагреве свое физическое состояние между кристаллическим и аморфным. Чипы этой памяти, как сообщается, могут работать быстрее и дольше традиционных транзисторо-основанных NAND-чипов. При этом биты PCM-памяти могут изменяться отдельно (а не только блоками, как в NAND) и могут сохранять свое состояние при выключении питания.

Работы над PCM-продуктами компании ведут с 2000 года. И хотя пока они не пока не планируют предлагать продукты PCM-памяти на рынке, считается, что PCM-память потенциально может вытеснить DRAM, NOR и NAND флэш. В частности, считается, что технология NAND-флэш памяти ограничена на 20нм, тогда как PCM можно уменьшить до 5нм. В результате же на единице объема PCM-память позволит разместить больше данных, чем флэш, сократив при этом стоимость гигабайта хранения. Более того, сообщается, что пропускная способность у PCM будет выше, чем у SSD-флэш. Хотя до таких результатов, по словам Intel, еще далеко.

Новости по теме:



Комментариев нет:

Отправить комментарий

 
Rambler's Top100