20 апр. 2010 г.

Samsung начинает выпуск 20нм NAND флэш-чипов


Компания Samsung вчера заняла лидирующую позицию в производстве NAND флэш-чипов. Оставив позади Toshiba и IM Flash Technologies, компания анонсировала начало производства образцов MLC NAND-чипов по 20нм технологии. Произведенные чипы будут использоваться в SD-картах и других накопителях информации.

По сравнению с 30нм чипами, новинки позволят не только вместить в себя на 50% больше информации, но и также позволят получить большую скорость работы и снизить свою стоимость. Так, по оценкам Samsung, 8GB SDHC-карта будет примерно на 30% быстрее, и гарантировано будет обеспечивать 10MB/s на записи (Class 10) и 20MB/s на чтении. Технология будет сосредоточена вокруг 32-х гигабитных чипов (4GB), которые будут комбинироваться в емкости до 64GB. Чипы при этом будут ориентированы на карты памяти и встроенные накопители различных устройств, вроде смартфонов.

Массовое производство новых чипов назначено на конец текущего года. Для сравнения, Toshiba в настоящее время начинает переход с 32нм чипов на 30нм, и думает начать производство по 20нм технологии в 2012 году. В свою очередь IM Flash в январе анонсировала свой 25нм технологический процесс, на который компания начала переходить спустя 1.5 года после начала использования 34нм технологии.

Новости по теме:



Комментариев нет:

Отправить комментарий

 
Rambler's Top100