Компания Samsung вчера заняла лидирующую позицию в производстве NAND флэш-чипов. Оставив позади Toshiba и IM Flash Technologies, компания анонсировала начало производства образцов MLC NAND-чипов по 20нм технологии. Произведенные чипы будут использоваться в SD-картах и других накопителях информации.
По сравнению с 30нм чипами, новинки позволят не только вместить в себя на 50% больше информации, но и также позволят получить большую скорость работы и снизить свою стоимость. Так, по оценкам Samsung, 8GB SDHC-карта будет примерно на 30% быстрее, и гарантировано будет обеспечивать 10MB/s на записи (Class 10) и 20MB/s на чтении. Технология будет сосредоточена вокруг 32-х гигабитных чипов (4GB), которые будут комбинироваться в емкости до 64GB. Чипы при этом будут ориентированы на карты памяти и встроенные накопители различных устройств, вроде смартфонов.
Массовое производство новых чипов назначено на конец текущего года. Для сравнения, Toshiba в настоящее время начинает переход с 32нм чипов на 30нм, и думает начать производство по 20нм технологии в 2012 году. В свою очередь IM Flash в январе анонсировала свой 25нм технологический процесс, на который компания начала переходить спустя 1.5 года после начала использования 34нм технологии.
Массовое производство новых чипов назначено на конец текущего года. Для сравнения, Toshiba в настоящее время начинает переход с 32нм чипов на 30нм, и думает начать производство по 20нм технологии в 2012 году. В свою очередь IM Flash в январе анонсировала свой 25нм технологический процесс, на который компания начала переходить спустя 1.5 года после начала использования 34нм технологии.
Комментариев нет:
Отправить комментарий