Ученые токийского университета разработали энергонезависимую память, структура которой соответствует флэш-памяти, но выполнена которая из органических материалов. Свою разработку авторы назвали “органической флэш-памятью”. Напряжение записи и считывания с новой разработки составляет всего лишь 6V и 1V соответственно. При этом данные на новинку можно записать и стереть более 1000 раз.
Во главе разработки стоят Такео Сомея (Takeo Someya) и Тсуеши Секитани (Tsuyoshi Sekitani) – профессор и научный коллега подразделения электрической инженерии и информационных систем токийского университета. В прототипе своей новой памяти они использовали лист изоляционного материала (polyethylene naphthalate - PEN), который выступил в качестве основания для массива ячеек памяти 26 x 26 2T и алюминиевых проводников. Полученная таким образом структура достаточно гибка, чтобы без повреждений обернуться вокруг цилиндра с радиусом в 6мм. Правда пока новая память может хранить данные не более дня.
О практическом применении своей разработки авторы пока почти ничего не сказали. Впрочем, новинку, по мнению разработчиков, можно использовать для создания крупных датчиков, электронной бумаги и других крупных электронных устройствах, если, конечно, увеличить время хранения ею данных. Последнее можно осуществить, если уменьшить размер элемента и использовать более длинные самоорганизующиеся монослои (SAM).
О практическом применении своей разработки авторы пока почти ничего не сказали. Впрочем, новинку, по мнению разработчиков, можно использовать для создания крупных датчиков, электронной бумаги и других крупных электронных устройствах, если, конечно, увеличить время хранения ею данных. Последнее можно осуществить, если уменьшить размер элемента и использовать более длинные самоорганизующиеся монослои (SAM).
Комментариев нет:
Отправить комментарий