Компания Toshiba на днях анонсировала начало массового производства чипов NAND флэш-памяти по 24нм технологическому процессу. Последняя технология используется для выпуска 8GB чипов (64Gb) типа MLC с двумя битами данных на ячейку. Чипы обладают самой высокой плотностью хранения данных и пока имеют самый маленький в мире размер. В будущем же по той же технологии Toshiba будет выпускать чипы с тремя битами на ячейку и емкостью в 4GB.
Для улучшения скоростей передачи данных в новых чипах используется технология Toshiba DDR. При этом чипы ориентируются на обширный набор потребительской электроники, начиная от смартфонов и заканчивая планшетниками и другими небольшими устройствами с большими потребностями в хранилищах. Toshiba уже выпускает 8GB NAND-чипы по 32нм технологии, однако уменьшенный технологический процесс позволит выпускать чипы с большей плотностью записи и с меньшими размерами.
Стоит отметить, что южно-корейская компания Samsung недавно анонсировала производство NAND-чипов “класса 20нм”. Однако, считается, что эти чипы в действительности выпускаются по технологии 27нм. Подобным образом, компания Hynix Semiconductor уже выпускает чипы по 26нм технологии, а Intel и Micron уже начали поставки своих первых 25нм NAND-чипов.
Стоит отметить, что южно-корейская компания Samsung недавно анонсировала производство NAND-чипов “класса 20нм”. Однако, считается, что эти чипы в действительности выпускаются по технологии 27нм. Подобным образом, компания Hynix Semiconductor уже выпускает чипы по 26нм технологии, а Intel и Micron уже начали поставки своих первых 25нм NAND-чипов.
Комментариев нет:
Отправить комментарий